深圳市凯斯宇科技有限公司

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：P-Channel
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：15 A
Rds上漏源导通电阻：11.2毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：34 nC
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF9321TRPBF SP001577608
单位重量：540毫克
应用领域
用于笔记本电脑电池的更换和放电开关
特征
行业标准的SO-8封装
符合RoHS标准，不含铅，溴化物和卤素
产生的好处
多供应商兼容性
环保

描述
IRS2101是高压，高速电源
具有独立高端的MOSFET和IGBT驱动器
和低侧参考输出通道。 所有权
HVIC和锁存免疫CMOS技术可实现
坚固的整体结构。 逻辑输入
与标准CMOS或LSTTL输出兼容，
低至3.3 V逻辑。 输出驱动器具有高
脉冲电流缓冲级，用于驱动器
交叉传导。 浮动通道可用于
在高端配置中驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压为600 V.
•浮动通道设计用于自举操作

•完全可在+600 V电压下运行
•耐负瞬态电压，dV / dt抗扰
•栅极驱动电源范围为10 V至20 V
•欠压锁定
•兼容3.3 V，5 V和15 V逻辑输入
•两个通道的匹配传播延迟
•输出与输入同相
•符合RoHS

额定值
额定值表示持续的极限，超过该极限可能会损坏设备。 

所有电压参数均为参考COM的电压。 测量热阻和功耗额定值
在板载和静止空气条件下。