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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
BSZ0901NSI,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,40A,0.0021Ω
| Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=10mA | 30 | V |
| Continuous drain current | ID | VGS=10V,TC=25℃ | 40 | A |
| Pulsed drain current | Idpulse | TC=25℃ | 160 | A |
| Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 69 | W |
| Gate source voltage | VGS | ±20 | V | |
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250µA | 2.2 | V |
| Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=20A, RGS=25Ω | 80 | mJ |
| Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=20A | 2.1 | mΩ |
| Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=15V, f=1MHz | 2600 | PF |
| Transconductance | gfs | |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=20A | 100 | S |